游达：比较多晶和单晶谁会是主流没有意义

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7日，在2014年国际光伏产业技术与标准发展论坛上，保利能源控股有限公司技术总监犹大发表了题为“太阳能级多晶硅片的发展前景与展望”的主题演讲。他认为目前地面电站主要是多晶的，但是多晶和单晶的比较是没有意义的。

以下是书面记录:

犹大:各位嘉宾、各位领导下午好。我很荣幸地向大家介绍GCL对近年来多晶硅产业链发展和未来趋势的看法。GCL在产业链中的多晶硅产能已达到近13gw，明年可能达到15gw。在如此大的产能压力下，我们很难保证自己在市场上的竞争力和市场份额。 业内最近讨论的是，未来三年单晶和多晶的份额将会发生什么变化？从GCL的角度来看，我们仍然对我们的聚晶感到乐观。另外，根据发电数据，目前地面电站主要是多晶的，但是如果将来多晶或者单晶有更多的优势，今天我就从一个吸引玉石的项目开始，我们一起来研究这个课题。 多晶硅铸锭的现状和前景，本报告分为五个部分。首先，回顾自光伏发电以来的最佳电池效率。然后，对全球光伏市场份额进行了简要讨论。三是介绍多晶硅铸锭技术的发展趋势。最后，介绍了N型准单晶铸锭技术。这个行业，无论是电池还是组件，最终都取决于发电量。 这幅画一直紧跟这个行业的趋势。自诞生以来，效率的最高记录值每年都有明显的进步。到2014年，几乎所有电子技术的实验室效率，无论是薄膜、单晶还是晶体硅，都已基本达到20%左右。有了更好的电池技术，晶体硅基本上可以达到25-26%的水平，这当然受到实验室效率的限制。随着科技的发展，它可能会变慢，但新技术可能会在未来诞生，我相信它会上升。 全球光伏市场份额与效率发展有着相应的关系。在过去四年中，多晶和单晶的比例自2010年以来略有变化。绿色表面是一种常见的晶体硅产品，自2012年高端多晶硅产品问世以来，已逐渐取代了这一市场。我们看到N型单晶市场的市场份额也在逐年增加，所以我们认为从2014年全年来看，常规太阳能电池硅片的组件产量将占市场份额的近89%。膜组件将占近8%。 我们主要回到晶体硅系统，看看多晶和单晶给出市场预测。据预测，从2010年到2017年，多晶组分的产量将基本保持在70%左右，到2017年，单晶的份额可能从30%增加到35%。 2012年，行业内大多数多晶都是g5。2013年，g6市场份额不断扩大，g5至g6产能增幅明显从6.9%提高到10.3%。2014年，多晶铸锭炉的类型逐渐从g5改为g6，再改为g7。GCL将把近10个炉灶改为g7，并将在明年继续增加g7的份额和比例。 每个人都在比较多晶和单晶，看谁将成为主流。我认为这毫无意义。然后让我们看看多晶体在未来会做什么。这里给出了单晶和多晶效率分布的计算。这里，与部件输出功率的相对值进行比较。 随着模块段面积差能量的增加，多晶在风能区的面积输出增加1.8%，光衰单晶体的变化为2-2.5%，多晶约为1%。如果单晶具有面积损失、封装损失和光衰减，则最终模块效率约为18.25%。我们认为，如果目前的单晶结构和电池技术不能实现20%的效率，那么它的效率输出就不如目前组装部分的多晶。就潜力而言，n型单晶硅片是未来的发展方向。然而，我们也发现，虽然N型有很高的潜力，目前的硅片尺寸主要是6英寸，电池成本太高。因此，我们今后将进行铸锭，希望通过铸锭工艺制造出N型单晶硅片。 谈到成本和效率，这又回到了多晶体发展的瓶颈。许多人说单晶的成本将会迅速下降，多晶体未来的发展势头将会很差。我也整理了自己的想法，总结了以下四点来讨论这个问题。 首先，我们必须承认所有有效的电池工艺都是基于单晶的，而多晶电池工艺并不多，研究也很少。 第二点是金刚石线切割带来的表面纹理技术的突破。如果这个瓶颈被打破，用聚晶碎片切割的金刚石线将被大规模生产并投放市场。第三点是类单晶的技术突破。中产阶级的效率分布很广，外表的接受度是有问题的。第二和第三班的效率需要进一步提高。 第四，空削减硅片的成本也受到客观条件的制约。如前所述，金刚石线还没有被大规模引入多晶切割，因此这种切割工艺的生产能力不能大规模生产。然后是装载能力。将装载能力从1.2吨增加到1.6吨不是技术问题，而是安全问题。 众所周知，作为单晶，传统的方法是直拉法。德拉单晶棒具有明显的优点，如绝缘密度低、效率高，但缺点是加料少、操作复杂、成本高。从某种意义上说，如果采用铸锭法，补缩量确实很大，g6没有问题，操作简单，成本低，但技术难度大。在这里我给出一个新的研究结果来讨论这项技术。这是今年发表在《太阳能材料和电池》杂志上的一份新报告。hit电池技术采用N型单晶硅片制作。如果在晶锭区中部的硅片被击中，即使在这样的晶锭环境下制作的硅片在中间转换区可以达到21.5%，对我们来说仍然有很大的挑战。首先，使用具有特定晶体取向的单晶的籽晶比普通硅材料具有更高的成本。三是进一步提高效率，主要解决效率分配问题。第三，增加单晶面积在整个晶体中的比例，目标是达到约80%的单晶硅片的输出率。 最后，我们将谈谈铸锭多晶发电的研究。首先是温度系数的影响，它不是标准环境温度或标准室外辐照度。这是德国学者对多晶成分的测试，我在网上找到的。获得的温度为-0.42，这接近我们的常规理解。 接下来，让我们看看温度系数的比较。我还查找了德国文章数据。坦率地说，在过去的几年里，德国在已安装应用方面仍处于世界领先地位，并积累了大量的系统运行数据。从这些数据中，我们可以看出hit结构的温度系数是所有晶体硅中最好的。从薄膜的角度来看，薄膜的实际测试和模拟中的温度测试仍然比较低。传统上，无论是单晶硅还是多晶硅，室外温度基本上波动在负0.4-0.5之间。如果我们将来要研究这样的测试条件，如何准确测量元件的温度系数对我们来说是一个挑战。 现在大家都说，在相同的照射下，在相同的瓦数下，单晶的温度比多晶的温度低5-6度。为什么会发生这种变化值得讨论。 最终多晶组成系统的未来研究集中在以下几个方面。 首先，各种高效硅片工艺和高效电池结构对最终系统发电的影响，我认为我们今后应该重视这方面的研究。 二、多晶组分光衰减变化的趋势及解决方法。第三，铸造单晶模块系统的发电研究。 第四，弱光条件下多晶模块发电的研究。我不会谈论剩下的。今天的报告将在这里分享。谢谢你。

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